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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 针数： | 44 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.23 | 最长访问时间： | 10 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.41 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V416L10PHG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416L10PHG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416L10PHGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416L10PHGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416L10Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
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| 71V416L10Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 |
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| 71V416L10YG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416L10YG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416L10YGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V416L10YGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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