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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.B | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.7 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP32,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.115 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V124SA20PHGI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 |
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| 71V124SA20PHI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32 |
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| 71V124SA20TY8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| 71V124SA20TYI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| 71V124SA20YI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| 71V2546 | RENESAS |
获取价格 |
3.3V 128Kx36 ZBT Synchronous PipeLined SRAM with 2.5V I/O |
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| 71V2546S100BG | IDT |
获取价格 |
PBGA-119, Tray |
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| 71V2546S100BGG | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAM |
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| 71V2546S100BGG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V Synchronous ZBT SRAM |
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| 71V2546S100BGGI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, GREEN, BGA-119 |
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