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71V016SA20BFG8

更新时间： 2024-01-28 01:58:28

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	116K
描述
3.3V CMOS Static RAM

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71V016SA20BFG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	CABGA
包装说明：	BGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.41
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	7 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.34 mm	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	3 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	7 mm

71V016SA20BFG8 数据手册

IDT71V016SA, 3.3V CMOS Static RAM

1 Meg (64K x 16-Bit)

Commercial and Industrial Temperature Ranges

Timing Waveform of Write Cycle No. 2 (CS Controlled Timing)^(1,4)

ADDRESS

(2)

tCW

BHE, BLE

tWP

tWR

DATAOUT

DATAIN

DATAIN VALID

3834 drw 09

Timing Waveform of Write Cycle No. 3 (BHE, BLE Controlled Timing)^(1,4)

ADDRESS

tAW

(2)

tAS

tBW

BHE, BLE

tWR

DATAOUT

DATAIN

tDH

DATAIN VALID

3834 drw 10

NOTES:

1. A write occurs during the overlap of a LOW CS, LOW BHE or BLE, and a LOW WE.

2. OEis continuously HIGH. If during a WEcontrolled write cycle OEis LOW, tWP must be greater than or equal to tWHZ + tDW to allow the I/O drivers to turn off and data to be placed

on the bus for the required tDW. If OEis HIGH during aWE controlled write cycle, this requirement does not apply and the minimum write pulse is as short as the specified tWP.

3. Duringthisperiod, I/Opinsareintheoutputstate, andinputsignalsmustnotbeapplied.

4. Ifthe CSLOWorBHEandBLELOWtransitionoccurssimultaneouslywithoraftertheWELOWtransition,theoutputsremaininahigh-impedancestate.

5. Transitionismeasured±200mVfromsteadystate.

1...4 5 678 9

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