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71V016SA20BFG8

更新时间： 2024-02-25 18:56:41
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 116K
描述
3.3V CMOS Static RAM

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71V016SA20BFG8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：CABGA
包装说明：BGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.41
最长访问时间：20 ns其他特性：ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：7 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.34 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7 mm

71V016SA20BFG8 数据手册

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IDT71V016SA, 3.3V CMOS Static RAM  
1 Meg (64K x 16-Bit)  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
AC Electrical Characteristics (VDD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)  
71V016SA10  
71V016SA12  
71V016SA15  
71V016SA20  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
READ CYCLE  
____  
____  
____  
____  
t
RC  
AA  
ACS  
Read Cycle Time  
10  
12  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
____  
____  
____  
____  
t
Address Access Time  
10  
12  
15  
20  
____  
____  
____  
____  
t
Chip Select Access Time  
Chip Select Low to Output in Low-Z  
10  
12  
15  
20  
____  
____  
____  
____  
(1)  
CLZ  
4
4
5
5
t
____  
____  
____  
____  
(1)  
Chip Select High to Output in High-Z  
Output Enable Low to Output Valid  
Output Enable Low to Output in Low-Z  
5
6
6
8
ns  
ns  
ns  
t
CHZ  
____  
____  
____  
____  
tOE  
5
6
7
8
____  
____  
____  
____  
(1)  
(1)  
0
0
0
0
tOLZ  
____  
____  
____  
____  
Output Enable High to Output in High-Z  
Output Hold from Address Change  
Byte Enable Low to Output Valid  
Byte Enable Low to Output in Low-Z  
5
6
6
8
ns  
ns  
ns  
ns  
t
OHZ  
OH  
BE  
t
4
—
4
—
4
—
4
—
____  
t
—
5
—
6
—
7
8
____  
____  
____  
____  
(1)  
0
0
0
0
tBLZ  
(1)  
____  
____  
____  
____  
Byte Enable High to Output in High-Z  
5
6
6
8
ns  
tBHZ  
WRITE CYCLE  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
t
WC  
AW  
CW  
BW  
AS  
WR  
WP  
DW  
DH  
Write Cycle Time  
10  
7
12  
8
15  
10  
10  
10  
0
20  
12  
12  
12  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
Address Valid to End of Write  
Chip Select Low to End of Write  
Byte Enable Low to End of Write  
Address Set-up Time  
t
7
8
t
7
8
t
0
0
t
Address Hold from End of Write  
Write Pulse Width  
0
0
0
0
t
7
8
10  
7
12  
9
t
Data Valid to End of Write  
Data Hold Time  
5
6
t
0
0
0
0
____  
____  
____  
____  
(1)  
Write Enable High to Output in Low-Z  
3
3
3
3
tOW  
____  
____  
____  
____  
(1)  
WHZ  
Write Enable Low to Output in High-Z  
5
6
6
8
ns  
t
3834 tbl 10  
NOTE:  
1. This parameter is guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.  
Timing Waveform of Read Cycle No. 1(1,2,3)  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
t
OH  
tOH  
DATAOUT VALID  
DATAOUT  
PREVIOUS DATAOUT VALID  
NOTES:  
1. WE is HIGH for Read Cycle.  
3834 drw 06  
2. Deviceiscontinuouslyselected,CSisLOW.  
3. OE, BHE, and BLE are LOW.  
5
123456789

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与71V016SA20BFG8相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
71V016SA20BFGI IDT 3.3V CMOS Static RAM

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71V016SA20BFGI8 IDT 3.3V CMOS Static RAM

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71V016SA20BFIG IDT Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PBGA48, 7 X 7 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, FBGA-48

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