Datasheet > 71V016SA20Y8

71V016SA20Y8

更新时间： 2024-09-23 14:46:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	100K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

71V016SA20Y8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.13	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
JESD-609代码：	e0	长度：	28.575 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ44,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.683 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

71V016SA20Y8 数据手册

3.3V CMOS Static RAM

1 Meg (64K x 16-Bit)

IDT71V016SA

Features

Description

◆

64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganized

as64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliability

CMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinno-

vativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

speedmemoryneeds.

◆

Equal access and cycle times

— Commercial:10/12/15/20ns

— Industrial:12/15/20ns

One Chip Select plus one Output Enable pin

◆

Bidirectional data inputs and outputs directly

The IDT71V016 has an output enable pin which operates as fast

as 5ns, with address access times as fast as 10ns. All bidirectional

inputsandoutputsoftheIDT71V016areLVTTL-compatibleandoperation

isfromasingle3.3Vsupply.Fullystaticasynchronouscircuitryisused,

requiringnoclocks orrefreshforoperation.

LVTTL-compatible

Low power consumption via chip deselect

Upper and Lower Byte Enable Pins

Single 3.3V power supply

◆

Available in 44-pin Plastic SOJ, 44-pin TSOP, and

The IDT71V016 is packaged in a JEDEC standard 44-pin Plastic

SOJ, a 44-pin TSOP Type II, and a 48-ball plastic 7 x 7 mm FBGA.

48-Ball Plastic FBGA packages

Functional Block Diagram

Output

Enable

Buffer

Address

Buffers

Row / Column

Decoders

A⁰– A¹⁵

I/O¹⁵

High

Byte

I/O

Chip

Enable

Buffer

I/O⁸

Sense

Amps

and

Write

Drivers

64K x 16

Memory

Array

Write

Enable

Buffer

I/O⁷

I/O⁰

Low

Byte

I/O

Buffer

BHE

BLE

Byte

Enable

Buffers

3834 drw 01

JUNE 2002

DSC-3834/06

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与71V016SA20Y8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
71V016SA20YG	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V016SA20YG8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V016SA20YGI	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V016SA20YGI8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM
71V016SA20YIG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-44
71V124	RENESAS	获取价格	3.3V 128K x 8 Asynchronous Static RAM Center Power & Ground Pinout
71V12410PHGI8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout
71V12410TYGI8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout
71V12410YGI8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout
71V12412PHGI8	IDT	获取价格	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power and Ground Pinout

与71V016SA20Y8相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

6
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

78
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

68

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

71V016SA20Y8

71V016SA20Y8 技术参数

71V016SA20Y8 数据手册

与71V016SA20Y8相关器件

与71V016SA20Y8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

71V016SA20Y8

71V016SA20Y8 技术参数

71V016SA20Y8 数据手册

与71V016SA20Y8相关器件

与71V016SA20Y8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？