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71V016SA20BFG8

更新时间： 2024-01-20 06:45:34
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 116K
描述
3.3V CMOS Static RAM

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71V016SA20BFG8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：CABGA
包装说明：BGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.41
最长访问时间：20 ns其他特性：ALSO OPERATES WITH 3V TO 3.6 V SUPPLY
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：7 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.34 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7 mm

71V016SA20BFG8 数据手册

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IDT71V016SA, 3.3V CMOS Static RAM  
1 Meg (64K x 16-Bit)  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Absolute Maximum Ratings(1)  
Recommended Operating  
Temperature and Supply Voltage  
Symbol  
Rating  
Value  
–0.5 to +4.6  
–0.5 to VDD+0.5  
–55 to +125  
–55 to +125  
1.25  
Unit  
V
V
DD  
Supply Voltage Relative to VSS  
Grade  
Commercial  
Industrial  
Temperature  
0°C to +70°C  
-40°C to +85°C  
V
SS  
VDD  
V
IN, VOUT Terminal Voltage Relative to VSS  
V
0V  
0V  
See Below  
TBIAS  
Temperature Under Bias  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
oC  
oC  
W
See Below  
T
P
STG  
3834 tbl 04  
T
I
OUT  
DC Output Current  
50  
mA  
Recommended DC Operating  
Conditions  
3834 tbl 03  
NOTE:  
1. StressesgreaterthanthoselistedunderABSOLUTEMAXIMUMRATINGSmaycause  
permanentdamagetothedevice.Thisisastressratingonlyandfunctionaloperation  
ofthedeviceattheseoranyotherconditionsabovethoseindicatedintheoperational  
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating  
conditionsforextendedperiodsmayaffectreliability.  
Symbol  
Parameter  
Min.  
3.15  
3.0  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
(1)  
V
DD  
DD  
Supply Voltage  
3.3  
3.6  
(2)  
V
Supply Voltage  
Ground  
3.3  
3.6  
V
Vss  
0
0
0
V
Capacitance  
____  
V
IH  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.0  
V
DD+0.3(3)  
0.8  
V
(TA = +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)  
–0.3(4)  
V
____  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Conditions  
IN = 3dV  
OUT = 3dV  
Max. Unit  
V
IL  
Symbol  
3834 tbl 05  
C
IN  
V
6
7
pF  
NOTES:  
1. For 71V016SA10 only.  
2. For all speed grades except 71V016SA10.  
C
I/O  
V
pF  
3834 tbl 06  
3. VIH (max.) = VDD+2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.  
4. VIL (min.) = –2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.  
NOTE:  
1. Thisparameterisguaranteedbydevicecharacterization,butnotproductiontested.  
DC Electrical Characteristics  
(VDD = Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)  
IDT71V016SA  
Symbol  
Parameter  
Input Leakage Current  
Test Condition  
DD = Max., VIN = VSS to VDD  
Min.  
Max.  
Unit  
µA  
µA  
V
___  
___  
___  
|ILI|  
V
V
5
5
|ILO  
|
Output Leakage Current  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
DD = Max., CS = VIH, VOUT = VSS to VDD  
VOL  
I
I
OL = 8mA, VDD = Min.  
OH = –4mA, VDD = Min.  
0.4  
__ _  
VOH  
2.4  
V
3834 tbl 07  
DC Electrical Characteristics(1,2)  
(VDD = Min. to Max., VLC = 0.2V, VHC = VDD – 0.2V)  
71V016SA10  
71V016SA12  
71V016SA15  
71V016SA20  
Com'l Ind'l Com'l  
Ind'l  
160  
--  
Com'l  
130  
Ind'l  
Com'l  
120  
Ind'l  
120  
--  
Symbol  
Parameter  
Dynamic Operating Current  
Unit  
Max.  
160  
65  
170  
--  
150  
60  
130  
--  
mA  
ICC  
(3)  
Typ.(4)  
55  
50  
CS ≤ VLC, Outputs Open, VDD = Max., f = fMAX  
Dynamic Standby Power Supply Current  
mA  
I
SB  
45  
10  
50  
10  
40  
10  
45  
10  
35  
10  
35  
10  
30  
10  
30  
10  
(3)  
CS ≥ VHC, Outputs Open, VDD = Max., f = fMAX  
Full Standby Power Supply Current (static)  
CS ≥ VHC, Outputs Open, VDD = Max., f = 0(3)  
mA  
ISB1  
3834 tbl 08  
NOTES:  
1. Allvaluesaremaximumguaranteedvalues.  
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and VDD – 0.2V (High).  
3. fMAX = 1/tRC (all address inputs are cycling at fMAX); f = 0 means no address input lines are changing .  
4. Typical values are based on characterization data for H step only measured at 3.3V, 25°C and with equal read and write cycles.  
3
1234567...9

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