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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 15 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V016SA15BFG48 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PBGA48 |
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| 71V016SA15BFG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA15BFGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA15BFGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA15PH | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V016SA15PH8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V016SA15PHG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA15PHG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA15PHGI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA15PHGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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