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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.56 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 最小待机电流： | 1.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.035 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71V016L100PHI | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
| 71V016L70PHI | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
| 71V016S12PH | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V016S25PH | IDT |
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Standard SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| 71V016SA | IDT |
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3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
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| 71V016SA10BF | IDT |
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CABGA-48, Tray |
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| 71V016SA10BFG | IDT |
获取价格 |
CABGA-48, Tray |
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| 71V016SA10BFG8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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| 71V016SA10BFGI | IDT |
获取价格 |
CABGA-48, Tray |
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| 71V016SA10BFGI8 | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS Static RAM |
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