是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP48,.6 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.04 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 61.849 mm |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 1KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7140LA55PDGB8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PDIP48 | |
7140LA55PDGI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PDIP48 | |
7140LA55PF8 | IDT |
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TQFP-64, Reel | |
7140LA55PFB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
7140LA55PFB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 | |
7140LA55PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 | |
7140LA55PFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
7140LA55PFGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 | |
7140LA55PFGB8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 | |
7140LA55PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |