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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QFP, QFP64,.66SQ,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.27 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP64,.66SQ,32 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7140LA55PFI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |
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| 7140LA55PGB8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| 7140LA55PGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PDIP48, GREEN, PLASTIC, DIP-48 |
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| 7140LA55PGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| 7140LA55PI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PDIP48, PLASTIC, DIP-48 |
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| 7140LA55PI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PDIP48 |
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| 7140LA55TFGB8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| 7140LA55TFGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| 7140LA70XCB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CDIP48 |
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| 7140SA100CB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CDIP48 |
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