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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP48,.6 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.2 |
| 最长访问时间： | 100 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T48 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 60.96 mm | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP48,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.826 mm |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.19 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7140SA100CGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CDIP48 |
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| 7140SA100CI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, DIP-48 |
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| 7140SA100CI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CDIP48 |
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| 7140SA100FGB8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
|
| 7140SA100FGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| 7140SA100FI | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQFP48 |
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| 7140SA100FI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQFP48 |
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| 7140SA100JB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52 |
|
| 7140SA100JG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P |
|
| 7140SA100JG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P |
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