是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | QCCN, QFL48,.75SQ |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.22 |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQCC-N48 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 1KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | QFL48,.75SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.19 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7140SA100FGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA100FI | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQFP48 | |
7140SA100FI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQFP48 | |
7140SA100JB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52 | |
7140SA100JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
7140SA100JG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
7140SA100JGB8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA100JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
7140SA100JGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
7140SA100JI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |