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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP48,.6 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.04 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 61.849 mm |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP48,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.0015 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.11 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7140LA55PDG8 | IDT |
获取价格 |
SRAM |
|
| 7140LA55PDGB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 0.610 INCH, 0.190 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
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| 7140LA55PDGB8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PDIP48 |
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| 7140LA55PDGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PDIP48 |
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| 7140LA55PF8 | IDT |
获取价格 |
TQFP-64, Reel |
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| 7140LA55PFB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |
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| 7140LA55PFB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 |
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| 7140LA55PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
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| 7140LA55PFG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |
|
| 7140LA55PFGB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
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