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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCJ, LDCC52,.8SQ |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 32768 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0015 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7134L70C | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 70ns, CMOS, SIDEBRAZED, DIP-48 |
|
| 7134L70L52 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 70ns, CMOS, LCC-52 |
|
| 7134LA20F | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, CQFP48 |
|
| 7134LA20J8 | IDT |
获取价格 |
PLCC-52, Reel |
|
| 7134LA20L48G | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, CQCC48, 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, GREEN, LC |
|
| 7134LA20L48G8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, CQCC48 |
|
| 7134LA20P | IDT |
获取价格 |
PDIP-48, Tube |
|
| 7134LA20PG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 20ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
|
| 7134LA25C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 |
|
| 7134LA25CGB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, CE |
|
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