是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, QFP100,.63SQ,20 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.08 |
最长访问时间: | 90 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 32768 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 100 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFQFP | 封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.31 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7133-V | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 25A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
7134 | RENESAS |
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4K x 8 Dual-Port RAM | |
7134_7154 | ETC |
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Monitor_ICs: | |
71342 | RENESAS |
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4K x 8 Dual-Port RAM w/Semaphore | |
71342LA20J | IDT |
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PLCC-52, Tube | |
71342LA20J8 | IDT |
获取价格 |
PLCC-52, Reel | |
71342LA20JG | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 4K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
71342LA20JG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 4K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
71342LA20JGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 4K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
71342LA20JGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 4K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |