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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, QFP100,.63SQ,20 | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.08 |
| 最长访问时间： | 90 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 32768 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.004 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.31 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7133-V | MOLEX | Barrier Strip Terminal Block, 25A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 7134 | RENESAS | 4K x 8 Dual-Port RAM |
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|
| 7134_7154 | ETC | Monitor_ICs: |
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| 71342 | RENESAS | 4K x 8 Dual-Port RAM w/Semaphore |
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|
| 71342LA20J | IDT | PLCC-52, Tube |
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| 71342LA20J8 | IDT | PLCC-52, Reel |
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