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7133SA90PFB

更新时间： 2024-02-10 05:07:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 137K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

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7133SA90PFB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：LFQFP, QFP100,.63SQ,20针数：100
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.08
最长访问时间：90 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQFP-G100JESD-609代码：e0
长度：14 mm内存密度：32768 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：100
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：2KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFQFP封装等效代码：QFP100,.63SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.004 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：14 mm
Base Number Matches：1

7133SA90PFB 数据手册

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IDT7133SA/LA,IDT7143SA/LA  
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
Absolute Maximum Ratings(1)  
Maximum Operating  
Temperature and Supply Voltage(1,2)  
Symbol  
Rating  
Commercial  
& Industrial  
Military  
Unit  
Grade  
Ambient  
Temperature  
GND  
Vcc  
(2)  
V
TERM  
Terminal Voltage  
with Respect  
to GND  
-0.5 to +7.0  
-0.5 to +7.0  
V
Military  
-55OC to +125OC  
0OC to +70OC  
0V  
0V  
0V  
5.0V  
+
+
+
10%  
Temperature  
Under Bias  
-55 to +125  
-65 to +150  
2.0  
-65 to +135  
-65 to +150  
2.0  
oC  
oC  
W
Commercial  
Industrial  
5.0V  
5.0V  
10%  
T
BIAS  
-40OC to +85OC  
10%  
Storage  
Temperature  
TSTG  
2746 tbl 04  
NOTES:  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
(3)  
P
T
Power  
Dissipation  
DC Output  
Current  
50  
50  
mA  
IOUT  
2746 tbl 02  
NOTES:  
Recommended DC Operating  
Conditions  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in  
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
Symbol  
Parameter  
Supply Voltage  
GND Ground  
Min.  
Typ. Max. Unit  
VCC  
4.5  
5.0  
5.5  
0
V
V
V
2. VTERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns  
maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > Vcc + 10%.  
0
0
____  
V
IH  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
6.0(2)  
0.8  
____  
VIL  
-0.5(1)  
V
2746 tbl 05  
NOTES:  
Capacitance (TA = +25°C, f = 1.0mhz)  
1. VIL (min.) = -1.5V for pulse width less than 10ns.  
2. VTERM must not exceed Vcc + 10%.  
Symbol  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Conditions(2)  
Max. Unit  
C
IN  
VIN = 3dV  
11  
11  
pF  
COUT  
VOUT = 3dV  
pF  
2746 tbl 03  
NOTES:  
1. This parameter is determined by device characterization but is not production  
tested.  
2. 3dVreferences the interpolatedcapacitance whenthe inputandoutputswitchfrom  
0V to 3V or from 3V to 0V.  
DC Electrical Characteristics Over the Operating  
Temperature and Supply Voltage Range (Either port, VCC = 5.0V ± 10%)  
7133SA  
7143SA  
7133LA  
7143LA  
Symbol  
|ILI  
|ILO  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
µA  
µA  
V
(1)  
___  
___  
|
Input Leakage Current  
V
CC = 5.5V, VIN = 0V to VCC  
10  
10  
5
5
___  
___  
___  
___  
___  
___  
|
Output Leakage Current  
Output Low Voltage (I/O  
CE = VIH, VOUT = 0V to VCC  
VOL  
0-I/O15  
)
IOL = 4mA  
0.4  
0.5  
0.4  
0.5  
Open Drain Output Low Voltage  
IOL = 16mA  
V
VOL  
(BUSY)  
___  
___  
VOH  
Output High Voltage  
IOH = -4mA  
2.4  
2.4  
V
2746 tbl 06  
NOTE:  
1. At Vcc < 2.0V, input leakages are undefined.  
6.42  
4
1234567...16

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