Datasheet > 71321SA20TFG9

71321SA20TFG9

更新时间： 2024-11-16 14:37:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	161K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

71321SA20TFG9 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	STQFP-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	20 ns
JESD-30 代码：	S-PQFP-G64	JESD-609代码：	e3
长度：	10 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	64	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

71321SA20TFG9 数据手册

IDT71321SA/LA

IDT71421SA/LA

HIGH SPEED

2K X 8 DUAL-PORT

STATIC RAM WITH INTERRUPTS

Features

◆

MASTER IDT71321 easily expands data bus width to 16-or-

more-bits using SLAVE IDT71421

High-speed access

– Commercial: 20/25/35/55ns (max.)

– Industrial: 55ns (max.)

Low-power operation

◆

On-chip port arbitration logic (IDT71321 only)

BUSY output flag on IDT71321; BUSY input on IDT71421

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation – 2V data retention (LA only)

TTL-compatible, single 5V ±10% power supply

Available in 52-Pin PLCC, 64-Pin TQFP, and 64-Pin STQFP

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆

– IDT71321/IDT71421SA

— Active: 325mW (typ.)

— Standby: 5mW (typ.)

– IDT71321/421LA

— Active: 325mW (typ.)

— Standby: 1mW (typ.)

Two INT flags for port-to-port communications

◆

FunctionalBlockDiagram

OER

OE_L

CEL

R/WL

CER

R/WR

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSYL

(1,2)

BUSYR

A10L

A0L

A10R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

A0R

ARBITRATION

and

INTERRUPT

LOGIC

CEL

OEL

CER

OER

R/WR

R/WL

(2)

INT_R

(2)

INTL

2691 drw 01

NOTES:

1. IDT71321 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pullup resistor of 270Ω.

IDT71421 (SLAVE): BUSY is input.

2. Open drain output: requires pullup resistor of 270Ω.

MARCH 1999

DSC-2691/8

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与71321SA20TFG9相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
71321SA20TFGI	IDT	获取价格	HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM
71321SA20TFGI8	IDT	获取价格	HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM
71321SA25JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL
71321SA25JG8	IDT	获取价格	HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM
71321SA25JGI	IDT	获取价格	HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM
71321SA25JGI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52
71321SA25JI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,
71321SA25JI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52
71321SA25PFG	IDT	获取价格	HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM
71321SA25PFG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64

与71321SA20TFG9相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

13
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

7
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

35
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

71321SA20TFG9

71321SA20TFG9 技术参数

71321SA20TFG9 数据手册

与71321SA20TFG9相关器件

与71321SA20TFG9相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

71321SA20TFG9

71321SA20TFG9 技术参数

71321SA20TFG9 数据手册

与71321SA20TFG9相关器件

与71321SA20TFG9相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？