5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-52 | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.72 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 最大待机电流： | 0.03 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.27 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 19.1262 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 71321SA25JI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQCC52 |
|
| 71321SA25PFG | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 71321SA25PFG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 |
|
| 71321SA25PFGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 71321SA25PFGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 71321SA25PPG | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 71321SA25PPG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 71321SA25PPGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 71321SA25PPGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 71321SA25TF9 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, STQFP-64 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
