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70V639S15PRFI8 PDF预览

70V639S15PRFI8

更新时间： 2024-11-06 14:51:11
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 185K
描述
Application Specific SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128

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70V639S15PRFI8 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：QFP, QFP128,.63X.87,20
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.4
Is Samacsys：N最长访问时间：15 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G128
JESD-609代码：e0内存密度：2359296 bit
内存集成电路类型：APPLICATION SPECIFIC SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：2端子数量：128
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QFP封装等效代码：QFP128,.63X.87,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：2.5/3.3,3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.49 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：20Base Number Matches：1

70V639S15PRFI8 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V  
128K x 18 ASYNCHRONOUS  
DUAL-PORT STATIC RAM  
IDT70V639S  
Š
Features  
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the  
128-pin TQFP package.  
◆
– Commercial:10/12/15ns (max.)  
– Industrial:12/15ns (max.)  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
external logic  
IDT70V639 easily expands data bus width to 36 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading more  
than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Busy and Interrupt Flags  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for  
core  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-ball fine  
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
◆
◆
◆
On-chip port arbitration logic  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Green parts available, see ordering information  
Functional Block Diagram  
UB  
L
L
UB  
R
LB  
LB  
R
R/  
WL  
R/  
WR  
B
B
E
1
L
B
E
1
B
E
0
E
0
L
CE0L  
CE0R  
R
R
CE1L  
CE1R  
OEL  
OER  
Dout0-8_L  
Dout9-17_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
128K x 18  
MEMORY  
ARRAY  
Din_L  
I/O0L- I/O17L  
Din_R  
I/O0R - I/O17R  
A
16R  
0R  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
A
16L  
0L  
ADDR_L  
ADDR_R  
A
A
OE  
L
OER  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE0R  
CE1R  
CE0L  
CE1L  
R/WL  
R/WR  
BUSY  
SEM  
INT  
R
BUSY  
SEM  
INT  
L
L
M/S  
R
L
R
TMS  
TCK  
TDI  
TDO  
JTAG  
TRST  
5621 drw 01  
NOTES:  
1. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
2. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
JANUARY 2009  
1
DSC-5621/6  
©2009IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...23

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与70V639S15PRFI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
70V657 RENESAS

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 		32K x 36 3.3V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's
70V657S10BCG IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70V657S10BCG8 IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
70V657S10BCGI IDT

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