是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | CABGA |
包装说明: | LBGA, BGA256,16X16,40 | 针数: | 256 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.15 |
最长访问时间: | 12 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B256 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 1179648 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 256 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX36 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA256,16X16,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.5 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 3.15 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.515 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 17 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V657S12BCI | IDT |
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CABGA-256, Tray | |
70V657S12BF | IDT |
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CABGA-208, Tray | |
70V657S12BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GR | |
70V657S12BFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V657S12BFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V657S12BFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V657S12BFI | IDT |
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CABGA-208, Tray | |
70V657S12DR | IDT |
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PQFP-208, Tray | |
70V657S12DR8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208 | |
70V657S12DR9 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 32KX36, 12ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208 |