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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | PGA, PGA108,12X12 | 针数： | 108 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.07 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-CPGA-P108 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 30.48 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 4 |
| 端子数量： | 108 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | PGA |
| 封装等效代码： | PGA108,12X12 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度： | 5.207 mm | 最大待机电流： | 0.03 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.36 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 30.48 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7052S35GGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM |
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| 7052S35GGI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM |
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| 7052S35GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM |
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| 7052S35GGM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CPGA108 |
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| 7052S35PFG | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF |
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| 7052S35PFG8 | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF |
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| 7052S35PFGB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF |
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| 7052S35PFGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM |
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| 7052S35PFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM |
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| 7052S35PFGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM |
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