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7052S35PFGM

更新时间： 2024-10-14 18:50:11

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	112K
描述
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120

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7052S35PFGM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	QFP, QFP120,.63SQ,16
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.41
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G120	JESD-609代码：	e3
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端口数量：	4	端子数量：	120
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP120,.63SQ,16
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.4 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

7052S35PFGM 数据手册

IDT7052S/L

HIGH-SPEED

2K x 8 FourPort^TM

STATIC RAM

Features

◆

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible; single 5V (±10%) power supply

High-speed access

◆

– Commercial:20/25/35ns (max.)

– Industrial:25ns (max.)

Available in 120 pin and 132 pin Thin Quad Flatpacks and

108 pin PGA

Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

– Military:25/35ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT7052S

Active:750mW(typ.)

Standby: 7.5mW (typ.)

– IDT7052L

◆

Green parts available, see ordering information

Active:750mW(typ.)

Standby: 1.5mW (typ.)

True FourPort memory cells which allow simultaneous

access of the same memory locations

Fully asynchronous operation from each of the four ports:

Description

TheIDT7052isahigh-speed2Kx8FourPort™StaticRAMdesigned

to be used in systems where multiple access into a common RAM is

required.ThisFourPortStaticRAMoffersincreasedsystemperformance

inmultiprocessorsystemsthathaveaneedtocommunicateinrealtimeand

alsooffersaddedbenefitforhigh-speedsystemsinwhichmultipleaccess

is requiredinthe same cycle.

◆

P1, P2, P3, P4

◆

Versatile control for write-inhibit: separate BUSY input to

control write-inhibit for each of the four ports

FunctionalBlockDiagram

R/WP1

CEP1

R/WP4

CEP4

OEP1

OEP4

COLUMN

I/O

COLUMN

I/O0P1-I/O7P1

BUSYP1

I/O0P4-I/O7P4

I/O

BUSYP4

PORT 1

PORT 4

ADDRESS

DECODE

LOGIC

ADDRESS

A0P1 - A10P1

A0P4 - A10P4

DECODE

LOGIC

MEMORY

ARRAY

PORT 2

ADDRESS

DECODE

LOGIC

PORT 3

ADDRESS

DECODE

LOGIC

A0P2 - A10P2

A0P3 - A10P3

BUSYP2

BUSYP3

COLUMN

I/O

COLUMN

I/O

I/O0P2-I/O7P2

I/O0P3-I/O7P3

OEP2

OEP3

CEP2

R/WP2

CEP3

R/WP3

2674 drw 01

JULY 2006

DSC 2674/12

12 3 4 5 6 7...11

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与7052S35PFGM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7052S35PFM	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120
7052S35PG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PPGA108
7052S35PQF	IDT	获取价格	PQFP-132, Tray
7052S35PQFB	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132
7052S35PQFG	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P
7052S35PQFGB	IDT	获取价格	Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P
7052S35PQFGM	IDT	获取价格	Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132
7052-T	MOLEX	获取价格	Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s)
7052-V	MOLEX	获取价格	Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s)
70530	MOLEX	获取价格	Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s)

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