是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-132 | 针数: | 132 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.6 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G132 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 24.13 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 4 |
端子数量: | 132 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | SPQFP132,1.1SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q |
座面最大高度: | 4.572 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.36 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 24.13 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7052S35PQFGM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 | |
7052-T | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
7052-V | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
70530 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
70530-45 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block | |
70530-49 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
70530-59 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
70530-88 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block | |
70530-C | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) | |
70530-P | MOLEX |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |