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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G132 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端口数量： | 4 | 端子数量： | 132 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BQFP | 封装等效代码： | SPQFP132,1.1SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.36 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7052-T | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 7052-V | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 70530 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 70530-45 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| 70530-49 | MOLEX |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
|
| 70530-59 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 70530-88 | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| 70530-C | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 20A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 70530-P | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| 70530-T | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block |
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