是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, QFP120,.63SQ,16 | 针数: | 120 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.39 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G120 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 4 | 端子数量: | 120 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFQFP | 封装等效代码: | QFP120,.63SQ,16 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.0018 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.3 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.4 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7052L35PFGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM | |
7052L35PFGI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM | |
7052L35PFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort STATIC RAM | |
7052L35PFGM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 | |
7052L35PFM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 | |
7052L35PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PPGA108 | |
7052L35PQFG | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
7052L35PQFGB | IDT |
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Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
7052L35PQFGM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 | |
7052L35PQFM | IDT |
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Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |