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7052S20PFG

更新时间： 2024-11-17 19:31:51

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	105K
描述
Four-Port SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQFP-120

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7052S20PFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LFQFP, QFP120,.63SQ,16	针数：	120
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQFP-G120
JESD-609代码：	e3	长度：	14 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	FOUR-PORT SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	4
端子数量：	120	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFQFP
封装等效代码：	QFP120,.63SQ,16	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.4 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

7052S20PFG 数据手册

IDT7052S/L

HIGH-SPEED

2K x 8 FourPort^TM

STATIC RAM

Features

◆

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible; single 5V (±10%) power supply

High-speed access

◆

– Commercial:20/25/35ns (max.)

– Industrial:25ns (max.)

Available in 120 pin and 132 pin Thin Quad Flatpacks and

108 pin PGA

Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

– Military:25/35ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT7052S

Active:750mW(typ.)

Standby: 7.5mW (typ.)

– IDT7052L

◆

Green parts available, see ordering information

Active:750mW(typ.)

Standby: 1.5mW (typ.)

True FourPort memory cells which allow simultaneous

access of the same memory locations

Fully asynchronous operation from each of the four ports:

Description

TheIDT7052isahigh-speed2Kx8FourPort™StaticRAMdesigned

to be used in systems where multiple access into a common RAM is

required.ThisFourPortStaticRAMoffersincreasedsystemperformance

inmultiprocessorsystemsthathaveaneedtocommunicateinrealtimeand

alsooffersaddedbenefitforhigh-speedsystemsinwhichmultipleaccess

is requiredinthe same cycle.

◆

P1, P2, P3, P4

◆

Versatile control for write-inhibit: separate BUSY input to

control write-inhibit for each of the four ports

FunctionalBlockDiagram

R/WP1

CEP1

R/WP4

CEP4

OEP1

OEP4

COLUMN

I/O

COLUMN

I/O0P1-I/O7P1

BUSYP1

I/O0P4-I/O7P4

I/O

BUSYP4

PORT 1

PORT 4

ADDRESS

DECODE

LOGIC

ADDRESS

DECODE

LOGIC

A0P1 - A10P1

A0P4 - A10P4

MEMORY

ARRAY

PORT 2

ADDRESS

DECODE

LOGIC

PORT 3

ADDRESS

DECODE

LOGIC

A0P2 - A10P2

A0P3 - A10P3

BUSYP2

BUSYP3

COLUMN

I/O

COLUMN

I/O

I/O0P2-I/O7P2

I/O0P3-I/O7P3

OEP2

OEP3

CEP2

R/WP2

CEP3

R/WP3

2674 drw 01

JANUARY 2009

DSC 2674/13

12 3 4 5 6 7...11

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