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7024L20JGI8

更新时间： 2024-11-02 00:31:47
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT PC静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 192K
描述
HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

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7024L20JGI8 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：PLCC
包装说明：QCCJ, LDCC84,1.2SQ针数：84
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.03
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：11321185Samacsys Pin Count：84
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Plastic Leaded Chip Carrier
Samacsys Footprint Name：PLG84Samacsys Released Date：2020-02-17 06:57:04
Is Samacsys：N最长访问时间：20 ns
其他特性：INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQCC-J84JESD-609代码：e3
长度：24.2062 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：1功能数量：1
端口数量：2端子数量：84
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC84,1.2SQ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.572 mm最大待机电流：0.004 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.32 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：24.2062 mmBase Number Matches：1

7024L20JGI8 数据手册

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HIGH-SPEED  
IDT7024S/L  
4K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
◆
IDT7024 easily expands data bus width to 32 bits or more  
using the Master/Slave select when cascading more than  
one device  
M/S = H for BUSY output flag on Master  
M/S = L for BUSY input on Slave  
Interrupt Flag  
On-chip port arbitration logic  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Battery backup operation—2V data retention  
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply  
Available in 84-pin PGA, Flatpack, PLCC, and 100-pin Thin  
Quad Flatpack  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Green parts availble, see ordering information  
Features  
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
reads of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
– Military:20/25/35/55/70ns(max.)  
– Industrial:55ns (max.)  
◆
◆
◆
– Commercial:15/17/20/25/35/55ns(max.)  
Low-power operation  
◆
– IDT7024S  
◆
◆
◆
◆
Active:750mW(typ.)  
Standby: 5mW (typ.)  
– IDT7024L  
Active:750mW(typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed  
◆
◆
◆
bus compatibility  
FunctionalBlockDiagram  
R/W  
L
R/W  
R
R
UB  
UBL  
LB  
CE  
OE  
L
L
L
LBR  
CE  
R
R
OE  
I/O8L-I/O15L  
I/O0L-I/O7L  
I/O8R-I/O15R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
I/O0R-I/O7R  
BUSY (1,2)  
L
BUSYR  
(1,2)  
A
11R  
0R  
A
11L  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A
0L  
A
12  
12  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE  
OE  
R/W  
R
CE  
OE  
R/W  
L
L
R
R
L
SEM  
R
SEM  
L
(2)  
INT (2)  
L
M/S  
INTR  
2740 drw 01  
NOTES:  
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.  
2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.  
JUNE 2013  
1
DSC 2740/14  
©2013IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...22

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7024L20JGI8 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IDT70V24L20PFGI IDT

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