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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC52,.8SQ | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.24 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 18432 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX9 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.25 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70121L35JGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX9, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
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| 70121L45J8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX9, 45ns, CMOS, PQCC52 |
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| 70121L45JG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX9, 45ns, CMOS, PQCC52 |
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| 70121L55JG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
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| 70121L55JG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
|
| 70121L55JGI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
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| 70121L55JGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM |
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| 70121S20J | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX9, 20ns, CMOS, PQCC52 |
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| 70121S20JG | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
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| 70121S20JG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT |
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