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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCN, LCC68,.56SQ,25 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-XQCC-N68 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 131072 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | QCCN | 封装等效代码： | LCC68,.56SQ,25 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.015 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.34 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7006S45F | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 45ns, CMOS, PQFP68, QFP-68 |
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| 7006S45G | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 45ns, CMOS, CPGA68, PGA-68 |
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| 7006S45GB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 45ns, CMOS, CPGA68, PGA-68 |
|
| 7006S45J8 | IDT |
获取价格 |
PLCC-68, Reel |
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| 7006S45JG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 16KX8, 45ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
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| 7006S45JG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 16KX8, 45ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
|
| 7006S45L68 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 16KX8, 45ns, CMOS, CQCC68 |
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| 7006S45L68B | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 45ns, CMOS, LCC-68 |
|
| 7006S55FGB8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7006S55FGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, GREEN, Q |
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