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689-1D

更新时间: 2024-09-17 22:19:59
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 136K
描述
RECTIFIERS ASSEMBLIES

689-1D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.55Is Samacsys:N
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X3JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:15 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.5 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

689-1D 数据手册

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