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60EPS08PBF

更新时间： 2024-09-15 08:00:07
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威世 - VISHAY 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
7页 163K
描述
High Voltage Input Rectifier Diode, 60 A

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60EPS08PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.45
Is Samacsys：N应用：HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：1100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：60 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

60EPS08PBF 数据手册

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VS-60EPS..PbF  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Voltage Input Rectifier Diode, 60 A  
FEATURES  
Base  
common  
cathode  
• Designed  
and  
qualified  
according  
to  
JEDEC-JESD47  
2
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
• Typical applications are in input rectification and these  
products are designed to be used with Vishay HPP  
switches and output rectifiers which are available in  
identical package outlines.  
TO-247AC modified  
1
Cathode  
1
3
Anode  
2
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION  
Package  
TO-247AC modified  
60 A  
The VS-60EPS..PbF rectifier high voltage series has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The glass passivation technology used has reliable  
operation up to 150 °C junction temperature.  
IF(AV)  
VR  
800 V to 1200 V  
1.09 V  
VF at IF  
IFSM  
950 A  
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
Single die  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
60  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800/1200  
950  
A
VF  
60 A, TJ = 25 °C  
1.09  
V
TJ  
- 40 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-60EPS08PbF  
VS-60EPS12PbF  
800  
900  
1
1200  
1300  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 118 °C, 180° conduction half sine wave  
60  
950  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
1100  
4512  
6300  
63 000  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
Revision: 18-Aug-11  
Document Number: 94345  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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