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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.26 |
| 最大击穿电压： | 7.37 V | 最小击穿电压： | 6.67 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 5000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 最大重复峰值反向电压： | 6 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5KP6.0A-5R | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| 5KP6.0A-5RE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 5KP6.0A-AT | YAGEO |
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瞬态抑制二极管 (车用) |
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| 5KP6.0AB | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| 5KP6.0A-B | RECTRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, R-6, 2 |
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| 5KP6.0A-B | LITTELFUSE |
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Transient Voltage Suppression Diodes |
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| 5KP6.0A-BP | MCC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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| 5KP6.0A-C | SECOS |
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5000W Peak Power TVS |
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| 5KP6.0ACOX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 5KP6.0ACOX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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