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5KP33C-5RE3

更新时间: 2024-09-14 10:08:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

5KP33C-5RE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PBCY-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.63最大击穿电压:44.9 V
最小击穿电压:36.7 V最大钳位电压:59 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PBCY-W2
JESD-609代码:e4最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:33 V
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:SILVER
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

5KP33C-5RE3 数据手册

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