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5KP30CAE3

更新时间: 2024-11-09 19:33:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
10页 526K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN

5KP30CAE3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-204
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.26
Is Samacsys:N最大击穿电压:36.8 V
最小击穿电压:33.3 V击穿电压标称值:35.05 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:53.5 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-204AR
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:8 W认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

5KP30CAE3 数据手册

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