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5KP30C-G

更新时间： 2024-01-14 23:02:45
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 62K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Bidirectional,

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5KP30C-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.32其他特性：UL RECOGNIZED
最大击穿电压：40.7 V最小击穿电压：33.3 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：5000 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：8 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

5KP30C-G 数据手册

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COMCHIP  
55000000WW TTrraannssiieenntt VVoollttaaggee SSuupppprreessssoorr  
SMD Diodes Specialist  
5KP-G Series  
Stand-off Voltage: 6.8V ~ 220V  
Power Dissipation: 5000 Watts  
RoHS Device  
R-6  
Features  
-Glass passivated chip.  
0.052(1.32)  
DIA.  
0.048(1.22)  
-Low leakage.  
1.0(25.4)  
MIN.  
-Uni and Bidirection unit.  
-Excellent clamping capability.  
-The plastic material has UL recognition 94V-0.  
-Fast response time.  
0.360(9.14)  
0.340(8.64)  
Mechanical Data  
0.360(9.14)  
DIA.  
0.340(8.64)  
-Case: Molded plastic R-6  
-Polarity: By cathode band denotes uni-directional  
device, none cathode band denotes bi-directional  
device  
1.0(25.4)  
MIN.  
-Weight: 2.1 grams  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25 OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.  
For capacitive load, derated current by 20%.  
Symbol  
Parameter  
Value  
5000  
Unit  
W
Peak power dissipation with a 10/1000μs  
waveform (Note 1)  
PPP  
Peak pulse current with a 10/1000μs waveform  
IPP  
PD  
W
W
A
See Next Table  
(Note 1)  
OC  
Power dissipation on infinite heatsink at TL=75  
8.0  
Peak forward surge current, 8.3ms single  
half sine-wave unidirectional only (Note 2)  
IFSM  
500  
Maximum instantaneous forward voltage at  
100A for uni-directional devices only (Note 3)  
3.5 / 5.0  
VF  
V
Operating junction and storage temperature  
range  
OC  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
NTOES:  
(1) Non-repetitive current pulse, per fig.5 and derated above TA=25 OC per fig. 1.  
(2) Measured on 8.3 ms single half sine wave of equivalent square wave,duty cycle=4 pulses per minute maximum.  
(3) VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V  
REV:B  
Page 1  
QW-BTV08  
12345

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与5KP30C-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5KP30C-GT3 SENSITRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
5KP30C-HF COMCHIP

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Bidirectional,
5KP30COX.120 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
5KP30COX.160 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
5KP30COX.200 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
5KP30COX.250 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
5KP30CS DIODES

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30CT-2 LITTELFUSE

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Bidirectional, 1 Element, Silicon,
5KP30C-T3 SENSITRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS
5KP30C-T3-LF WTE

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS

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