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5KP12E3

更新时间: 2024-09-16 19:33:07
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
10页 526K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode

5KP12E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.23最大击穿电压:16.3 V
最小击穿电压:13.3 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5最大重复峰值反向电压:12 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

5KP12E3 数据手册

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