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5CEBA2F17C7

更新时间： 2024-09-21 19:29:31
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 栅可编程逻辑
页数 文件大小 规格书
64页 1355K
描述
Field Programmable Gate Array, PBGA256, FBGA-256

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5CEBA2F17C7 技术参数

生命周期：Active包装说明：LBGA,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
JESD-30 代码：S-PBGA-B256长度：17 mm
端子数量：256最高工作温度：85 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE可编程逻辑类型：FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
座面最大高度：1.55 mm最大供电电压：1.13 V
最小供电电压：1.07 V标称供电电压：1.1 V
表面贴装：YES温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM宽度：17 mm
Base Number Matches：1

5CEBA2F17C7 数据手册

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Electrical Characteristics  
Page 9  
Table 9 lists the Cyclone V OCT without calibration resistance tolerance to PVT  
changes.  
Table 9. OCT Without Calibration Resistance Tolerance Specifications for Cyclone V Devices  
Resistance Tolerance  
Symbol  
Description  
Conditions (V)  
CCIO = 3.0 and 2.5  
CCIO = 1.8 and 1.5  
Unit  
%
–C6  
–C7, –I7  
–C8, –A7  
Internal series termination  
without calibration  
(25-Ω setting)  
25-Ω RS  
V
V
30  
40  
40  
40  
50  
40  
40  
50  
40  
Internal series termination  
without calibration  
(25-Ω setting)  
25-Ω RS  
25-Ω RS  
50-Ω RS  
50-Ω RS  
50-Ω RS  
100-Ω RD  
30  
35  
30  
30  
35  
25  
40  
50  
40  
40  
50  
40  
%
Internal series termination  
without calibration  
(25-Ω setting)  
VCCIO = 1.2  
%
Internal series termination  
without calibration (50-Ω  
setting)  
V
CCIO = 3.0 and 2.5  
CCIO = 1.8 and 1.5  
%
Internal series termination  
without calibration  
(50-Ω setting)  
V
%
Internal series termination  
without calibration  
(50-Ω setting)  
V
CCIO = 1.2  
CCIO = 2.5  
%
Internal differential  
termination (100-Ω  
setting)  
V
%
Use Table 10 to determine the OCT variation after power-up calibration and  
Equation 1 to determine the OCT variation without recalibration.  
(2), (3), (4), (5), (6)  
Equation 1. OCT Variation Without Recalibration (1),  
dR  
dT  
dR  
dV  
⎛
⎞
⎠
ROCT = RSCAL 1 + 〈------ × ΔT〉 〈------- × ΔV〉  
⎝
Notes to Equation 1:  
(1) The ROCT value calculated from Equation 1 shows the range of OCT resistance with the variation of temperature and  
VCCIO  
.
(2) RSCAL is the OCT resistance value at power-up.  
(3) ΔT is the variation of temperature with respect to the temperature at power up.  
(4) ΔV is the variation of voltage with respect to VCCIO at power up.  
(5) dR/dT is the percentage change of RSCAL with temperature.  
(6) dR/dV is the percentage change of RSCAL with voltage.  
December 2013 Altera Corporation  
Cyclone V Device Datasheet  
1...6789101112...64

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与5CEBA2F17C7相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5CEBA2F17C7N ALTERA

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 		Field Programmable Gate Array, PBGA256, ROHS COMPLIANT, FBGA-256
5CEBA2F17C8 INTEL

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 		Field Programmable Gate Array, PBGA256, FBGA-256
5CEBA2F17C8N ALTERA

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