生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DFP, TPAK36,1.5,25 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.79 |
最长访问时间: | 60 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDFP-F36 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 16.51 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | TPAK36,1.5,25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q |
座面最大高度: | 2.67 mm | 最大待机电流: | 0.0004 A |
最小待机电流: | 2.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.13 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 0.64 mm |
端子位置: | DUAL | 总剂量: | 100k Rad(Si) V |
宽度: | 16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962R9215305QUX | WEDC |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 40 ns, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36, Static RAM | |
5962R9215305QZC | HONEYWELL |
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Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36 | |
5962R9215305QZX | HONEYWELL |
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Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36 | |
5962R9215305V4C | HONEYWELL |
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Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36 | |
5962R9215305VUC | HONEYWELL |
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Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36 | |
5962R9215305VUX | HONEYWELL |
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Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36 | |
5962R9215305VZC | HONEYWELL |
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Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36 | |
5962R9215305VZX | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36 | |
5962R9215306QUC | ETC |
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x8 SRAM | |
5962R9215306QZC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |