5秒后页面跳转
5962R9215305VZC PDF预览

5962R9215305VZC

更新时间: 2024-11-22 20:29:35
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 743K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36

5962R9215305VZC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DFP, TPAK36,1.5,25
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F36JESD-609代码:e4
长度:16.51 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:36字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DFP封装等效代码:TPAK36,1.5,25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度:2.67 mm最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.13 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:FLAT端子节距:0.64 mm
端子位置:DUAL总剂量:100k Rad(Si) V
宽度:16 mmBase Number Matches:1

5962R9215305VZC 数据手册

 浏览型号5962R9215305VZC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962R9215305VZC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962R9215305VZC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962R9215305VZC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962R9215305VZC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962R9215305VZC的Datasheet PDF文件第7页 

与5962R9215305VZC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5962R9215305VZX WEDC

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36
5962R9215306QUC ETC

获取价格

x8 SRAM
5962R9215306QZC ETC

获取价格

x8 SRAM
5962R9215306VUC ETC

获取价格

x8 SRAM
5962R9215306VZC ETC

获取价格

x8 SRAM
5962R9215306VZX WEDC

获取价格

IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 60 ns, DFP36, FP-36, Static RAM
5962R9215307Q4C HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, FP-36
5962R9215307QUC ETC

获取价格

x8 SRAM
5962R9215307QZC HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, FP-36
5962R9215307V4C HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, FP-36