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5962R9215309QMA

更新时间: 2024-02-12 21:11:04
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
36页 1339K
描述
x8 SRAM

5962R9215309QMA 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-CDIP-T28JESD-609代码:e4
长度:35.56 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度:4.445 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:GOLD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
总剂量:100k Rad(Si) V宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

5962R9215309QMA 数据手册

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