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5962R9215318QTC

更新时间: 2024-02-27 16:22:36
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
36页 1339K
描述
x8 SRAM

5962R9215318QTC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DFP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-XDFP-F36
JESD-609代码:e4长度:25.4 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:36字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度:3.3 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL总剂量:100k Rad(Si) V
宽度:17.78 mmBase Number Matches:1

5962R9215318QTC 数据手册

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