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5962R9215307V4C

更新时间: 2024-11-22 20:29:35
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 743K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, FP-36

5962R9215307V4C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DFP, TPAK36,1.5,25
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.34
Is Samacsys:N最长访问时间:40 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDFP-F36
JESD-609代码:e4长度:16.51 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:36字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DFP
封装等效代码:TPAK36,1.5,25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度:2.67 mm
最大待机电流:0.0004 A最小待机电流:2.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.18 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:GOLD端子形式:FLAT
端子节距:0.64 mm端子位置:DUAL
总剂量:100k Rad(Si) V宽度:16 mm
Base Number Matches:1

5962R9215307V4C 数据手册

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