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5962H9215305QMC

更新时间: 2024-11-07 20:29:35
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 743K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962H9215305QMC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.1.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
Is Samacsys:N最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-GDIP-T28
JESD-609代码:e4长度:35.56 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38535 Class Q座面最大高度:4.445 mm
最大待机电流:0.0004 A最小待机电流:2.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:GOLD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
总剂量:1M Rad(Si) V宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

5962H9215305QMC 数据手册

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