生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 60 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 35.56 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class Q | 座面最大高度: | 4.445 mm |
最大待机电流: | 0.0004 A | 最小待机电流: | 2.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.13 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | GOLD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
总剂量: | 1M Rad(Si) V | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962H9215305QMX | HONEYWELL |
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Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | |
5962H9215305QUC | HONEYWELL |
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Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36 | |
5962H9215305QUX | WEDC |
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IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 40 ns, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36, Static RAM | |
5962H9215305QZC | HONEYWELL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36 | |
5962H9215305QZX | HONEYWELL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDFP36, 0.630 X 0.650 INCH, CERAMIC, FP-36 | |
5962H9215305V4C | ETC |
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x8 SRAM | |
5962H9215305V4X | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36 | |
5962H9215305V9C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
5962H9215305V9X | HONEYWELL |
获取价格 |
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 40 ns, CDFP28, 0.530 X 0.720 INCH, CERAMIC, FP-28, Static RAM | |
5962H9215305VMC | HONEYWELL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |