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5962H9215305QMX

更新时间: 2023-02-26 15:20:52
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 556K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962H9215305QMX 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.1.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:40 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T28
长度:35.56 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.445 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
总剂量:1M Rad(Si) V宽度:15.24 mm

5962H9215305QMX 数据手册

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