5秒后页面跳转
5962H9215306Q9C PDF预览

5962H9215306Q9C

更新时间: 2024-01-30 00:32:26
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 556K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-28

5962H9215306Q9C 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DFP, FL28,.5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.1.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.79
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F28JESD-609代码:e4
长度:18.285 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DFP封装等效代码:FL28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度:3.81 mm最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.13 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL总剂量:1M Rad(Si) V
宽度:13.465 mmBase Number Matches:1

5962H9215306Q9C 数据手册

 浏览型号5962H9215306Q9C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962H9215306Q9C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962H9215306Q9C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962H9215306Q9C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962H9215306Q9C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962H9215306Q9C的Datasheet PDF文件第7页 

与5962H9215306Q9C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5962H9215306QMC ETC

获取价格

x8 SRAM
5962H9215306QMX HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
5962H9215306QUC HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36
5962H9215306QUX HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36
5962H9215306QZC HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36
5962H9215306QZX HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-36
5962H9215306V9C HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-28
5962H9215306V9X HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, FP-28
5962H9215306VMC HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
5962H9215306VMX HONEYWELL

获取价格

Standard SRAM, 32KX8, 60ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28