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5962-9315402HXX

更新时间： 2024-01-23 09:18:04

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美高森美 - MICROSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	678K
描述
EEPROM Module, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

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5962-9315402HXX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.31
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION
数据保留时间-最小值：	10	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38534 Class H
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms

WE512K8, WE256K8,

WE128K8-XCX

White Electronic Designs

FIGURE 6 – WRITE WAVEFORMS WE# CONTROLLED

OE#

ADDRESS (1)

CS#

WE#

DATA IN

NOTE:

1. Decoded Address Lines must be valid for the duration of the write.

FIGURE 7 – WRITE WAVEFORMS CS# CONTROLLED

OE#

ADDRESS (1)

CS#

WE#

DATA IN

NOTE:

1. Decoded Address Lines must be valid for the duration of the write.

White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

March 2007

Rev. 2

White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-9315501HXX	ETC	x8 EEPROM	获取价格
5962-9315501HYX	MICROSEMI	EEPROM Module, 256KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERA	获取价格
5962-9315502HXC	WEDC	IC 256K X 8 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CDIP32, DUAL CAVITY, SIDE BRAZED, HERMETIC SEALED, C	获取价格
5962-9315502HXX	ETC	x8 EEPROM	获取价格
5962-9315502HYX	MICROSEMI	EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERA	获取价格
5962-931552HYX	MERCURY	EEPROM	获取价格