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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 150 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | 长度： | 40.64 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9315502HYX | MICROSEMI | EEPROM Module, 256KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, BOTTOM BRAZED, CERA |
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| 5962-931552HYX | MERCURY | EEPROM |
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| 5962-9315601HXA | ETC | x8 SRAM Module |
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| 5962-9315601HXC | ETC | x8 SRAM Module |
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| 5962-9315601HYA | ETC | x8 SRAM Module |
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| 5962-9315601HYC | ETC | x8 SRAM Module |
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