生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.53 |
最长访问时间: | 55 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 40.6 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Qualified | 座面最大高度: | 5.1 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | GOLD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9315605HXC | ETC | x8 SRAM Module |
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5962-9315605HYA | ETC | x8 SRAM Module |
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5962-9315605HYC | ETC | x8 SRAM Module |
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5962-9315606HXA | ETC | x8 SRAM Module |
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5962-9315606HXC | ETC | x8 SRAM Module |
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5962-9315606HYA | ETC | x8 SRAM Module |
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