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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 31.877 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 64KX4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-8868101LX | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| 5962-8868101XA | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
|
| 5962-8868101XX | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| 5962-8868102LA | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, |
|
| 5962-8868102LA | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 |
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| 5962-8868102LC | MICROSS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
|
| 5962-8868102LX | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| 5962-8868102XA | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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| 5962-8868102XA | MICROSS |
获取价格 |
64KX4 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 |
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| 5962-8868102XX | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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